挑战物理极限 三星宣布5/4/3nm工艺演进路线

发表于2018-06-02 分类:手机 浏览次数:67次

  【IT168 手机讯】此前,有消息称苹果今年发布的A12处理器已经量产,并且采用了台积电7nm制程工艺,7nm工艺将比10nm工艺在性能上提升20%,与此同时在功耗上还能降低40%,带来性能与效率的双重提升。三星也宣布了其7nm LPP工艺制程芯片将会在2018年下半年投入量产。

挑战物理极限 三星宣布543nm工艺演进

  与此同时,在刚刚召开的Samsung Foundry Forum(三星工艺论坛)上,三星更是公布了三星在未来几年芯片的演进路线。宣布将进军5nm、4nm及3nm工艺,直逼物理的极限。其中,5nm LPE(Low Power Early,低功耗早期)工艺相较于7nm LPP(Low Power Plus,低功耗增强),会进一步缩小芯片核心面积,带来超低的功耗;4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET(Fin Field-Effect Transistor,鳍式场效应晶体管)技术,进一步压缩芯片面积;3nm GAAE/GAAP(Gate All Around,环绕栅极)则采用了全新的MBCFET(Multi Bridge Channel FET,多桥通道场效应管)技术,需要对晶体管底层结构进行重新设计,克服当前技术的物理及性能屏障,增强栅极的控制能力,使得性能大大提升。

挑战物理极限 三星宣布543nm工艺演进

  此前有人曾指出,3nm芯片制程工艺将是摩尔定律的极限,这一定律在半导体行业已经被验证了近半个世纪,目前来看广义的摩尔定律仍然存在,也许在3nm之后,还会有2nm甚至是1nm工艺制程的出现。至于那时候半导体芯片行业将会如何发展?科学技术将会发展到什么地步?就只能在未来科技创新的路上寻求答案了。


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